Vishay Siliconix新款N沟道MOSFET再次刷新最低导通电阻记录-资讯切管机

Vishay Siliconix新款N沟道MOSFET再次刷新最低导通电阻记录-资讯 该TrenchFET?器件采用PowerPAK SO-8封装、具有40V和60V工作电压

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK? SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。

40 V SiR640DP在10V和4.5V下的导通电阻为防震垫1.7m?和2.2m?，在10V和4.5V下的FOM分别为128m?-nC和76m?-nC。器件在进口坚果4.5V下的导通电阻比最接近的竞争MOSFET低4%，而4.5V下的FOM则低15.5%。

60V SiR662DP在10V和4.5V下的导通电阻分别为2.7m?和3.5m?，在10V和4.5V下的FOM分别为172.8m?-nC和105m?-nC。器件在10V和4.5V下的导通电阻分别比最接近的同档次MOSFET分别低3.5%和27%，在10V和4.5V下的FOM分别低23%和57%。在器件的整个工作范围内，低导通电阻和低FOM将能够减少开关损耗。

两款器件在制造过程中采用了一种新的硅技术，该技术使用了优化的沟槽密度和特殊的栅极结构。对于设计者来说，更低的导通电阻意味着更低的传导损耗收银台，从而降低功耗，尤其是在重载的情况下。器件的低FOM能够降低高频植发和开关应用中的开关损耗，特别是在轻负载和待机模式下。器件的高频率使设计者能够增加其系统的功率密度，或是同时实现更低的功率损耗和更绿色的应用方案。

SiR662DP和SiR640DP适用于DC/DC和AC/DC转换器中的次级侧同步整流、DC/DC转换器中的初级侧开关、负载点模块、电机驱动、桥式逆变器和替代机械式继电器的应用。典型终端产品包括通信电源、工业自动化和专业游戏机、不间断电源(UPS)和消费类应用。

MOSFET的电压等级为4.5V，使许多设计者能够在其系统中使用现有的给数字逻辑电路供电的5V电源轨，无需再为10V电源轨腾出和寻找合适的空间。4.5V电压等铜嵌件级还能够大幅降低栅极驱动的损耗，同时还能够使用电压更低、成本更低的5V PWM IC。

两款芯片均经过了100%的Rg和UIS测试，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令2002/95/EC。

SiR662DP和SiR640DP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。

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